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半导体器件的参数测试需要经常进行极低的电流测量，也称微电流测量。对于MOSFET器件，栅极电压控制MOSFET的开 关即控制着漏极电流。关状态时的电流和从开状态至关状态时的切换电流(也称之为阈值电流)是超大规模CMOS电路非常重要的性能指标。现在的集成电路，关状态时的电流一般只有几个fA大小，为极低电流。因此，具备一套能够进行这类极低电流测量的半导体特性测试系统，就成为非常重要的研究手段。 典型的半导体参数特性测试系统，常见主要有
霍尔效应探针台系统适用于被测样品的测试点较小，需要精确定位后进行霍尔效应测试的各类应用。该系统包括专用的探针台、电磁铁、磁场电源、高斯计与探头、循环水冷机等构成。如果再配上电性测量仪器与软件，即可构成完整的霍尔效应测量系统。后者即电性测量部分是美国Keithley等专业电性测量公司的擅长之处，不属于霍尔效应探针台系统的内容，故下面重点介绍霍尔效应探针台系统的两大部分，即探针台部分与电磁场部分。探针台部分由支撑平台与旋转部分、真空吸盘
美国物理学家霍尔(Edwin H Hall 1855-1938)于1879年在实验中发现，当电流垂直于外磁场方向流过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应 (Hall Effect)。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔
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